Apple đã sử dụng chip nhớ NAND flash do SanDisk sản xuất trên các mẫu iPhone từ đời iPhone 5 trở đi và mới nhất là iPhone 6 Plus. Trong khi các dòng iPhone trở vè trước thì sử dụng chip nhớ của Samsung, SK Hynix và Toshiba.
Nhà sản xuất chip bán dẫn SanDisk đã thành công trong việc thu nhỏ kích thước bộ nhớ trong dung lượng 256GB về chỉ còn tương đương với 64GB, thậm chí còn gọn hơn tới 5%.
Điều này sẽ cho phép Apple tăng thêm dung lượng bộ nhớ trong của thế hệ iPhone mới phiên bản màn hình lớn (có thể sẽ được gọi là iPhone 7 Plus), mà vẫn giữ nguyên thiết kế thân máy mỏng hơn thế hệ trước 1mm, và pin trong tăng thêm khoảng 13% với 3.100mAh.
Chip nhớ NAND flash của SanDisk dung lượng 256GB (trên) và phiên bản 64GB (dưới).
Nguồn tin cũng dự đoán, rất có thể mẫu iPhone mới sẽ có các tùy chọn bộ nhớ trong gồm 16GB, 32GB, 128GB và lớn nhất sẽ là 256GB nhưng chính sách giá bán không hề thay đổi so với thông lệ hằng năm khi trình làng sản phẩm iPhone mới.
Những đồn đoán gần đây cho rằng, iPhone 7 và iPhone 7 Plus sẽ được Apple trang bị cho chip xử lý thế hệ mới nhất Apple A10, chip modem Intel 7360 LTE cho tốc độ truy cập mạng nhanh gấp rưỡi iPhone 6s hiện tại.
Bên cạnh đó cũng có một số điểm mới trong thiết kế như mỏng hơn 1mm, bỏ đi dải nhựa anten ở nắp lưng, bổ sung kết nối Smart Connector, tính năng chống nước, sạc không dây. Riêng iPhone 7 Plus có thể tích hợp 3GB RAM và cụm camera kép dual-lens.
* Đăng nhập hoặc Đăng ký tài khoản để
bình luận và chia sẻ nhanh hơn